2023 IEEE国际电子器件会议(IEDM 2023)上，Intel展示了多项新的半导体技术突破，继续推进摩尔定律。
一是
3D堆叠CMOS晶体管，一种栅极间距垂直堆叠互补场效应晶体管(CFET)，结合了背面供电(PowerVia)、直接背面触点(direct backside contact)，可以缩微至60nm。
它可以通过晶体管堆叠提升面积效率和性能优势，显现了Intel在GAA全环绕栅极晶体管领域的领先地位。
其中，PwoerVia技术将于2024年在Intel 20A节点上做好投产准备。
