国产存储第一大厂长鑫突破封锁：发布GAA技术相关论文 可用在3nm芯片上
快科技12月15日消息，在第69届IEEE 国际电子器件会议（IEDM）上，国产存储第一大厂长鑫带来了一篇沦为，其在技术上有了突破，可以搞定3nm技术芯片。
从长鑫发表的论文看，这是展示了其在环绕式闸极结构（Gate-All-Around，GAA）技术上的突破，而它可以用在3nm工艺制程芯片上，而当然也是可以向下搞定5nm、7nm、10nm和14nm。
由于设备制程管制，长鑫现在还无法生产和制造，但这个论文已经显示，他们拥有了这个技术实力，而这样而是国产芯片自主突破的一个缩影。
在这之前，长鑫存储正式推出LPDDR5系列产品，包括12Gb的LPDDR5颗粒，POP封装的12GB LPDDR5芯片及DSC封装的6GB LPDDR5芯片。
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