大摩：明年内存芯片市场，不是“好”，而是“大好”！
存储芯片行业熬过了凛冽寒冬，正迎来周期性需求改善。
摩根士丹利在周三的报告中再次上调存储芯片涨价预期，其指出从修正后的每股收益来看，美股内存股现在较上一个周期要便宜得多，存储芯片行业将进入周期性增长加速、需求明显提高的时期。
大摩在报告中指出，下游补库存，供给远低于需求，明年一季度存储芯片价格有望大幅上涨：
我们预计DRAM（内存）和NAND（闪存）价格将在明年第一季度上涨20%，最新的预计较此前增幅翻倍，此前的预期是DRAM价格涨幅为8-13%，NAND价格涨幅为5-10%。
下游客户已经开始补库存，中国智能手机OEM厂2024年Q1订单量将大幅增加，电脑ODM/ OEM也在建立库存。而智能手机制造商重新补库存将带来价格的上涨，库存将恢复到正常水平(移动DRAM需要4-6周，NAND需要6-7周)。
从供需方面来看，存储厂商在大幅减产之后，产量远远低于需求，随着着需求的改善，2024年的价格上涨前景将更加明确。
进一步来看，大摩指出，人工智能需求将进一步提振存储芯片价格：
我们还需要考虑到2024年HBM芯片100亿美元市场规模增长的影响，以及人工智能需求的突然出现将导致供应短缺延长。
此外，虽然人工智能应用程序大部分都部署在云端，但从2024年开始，边缘需求将变得越来越普遍(移动人工智能)，并可能逐渐进入智能手机升级周期。
总的来看，大摩认为，随着每股收益同比增长加速，内存股往往表现优异，现在刚刚进入周期中期/乐观阶段，DRAM现货价格同比为-16%，距离峰值水平仍有距离。而抛开估值不谈，存储芯片周期已经从2023年第一季度的低点恢复，进入2024年将进一步改善。
根据最新的行业数据，大摩上调了三星和SK海力士的每股收益预期，并预计海力士将在第四季度实现盈利，并在HBM市场份额增长和大宗商品价格大幅改善的推动下，进入盈利周期，到2024年底/ 2025年初将达到创纪录的水平。三星则将通过内存涨价快速提高利润率，同时或将从融入AI技术的S24 edge产品中受益，该产品将在2024年第一季度推出。
