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快科技5月7日消息， 据媒体报道，SK海力士正在评估东京电子最新的低温蚀刻设备， 该设备可以在-70℃的低温下运行，用来生成400层以上堆叠的新型3D NAND。

据了解，SK海力士此次并未直接引进设备，而是选择将测试晶圆发送到东京电子的实验室进行评估，以验证新设备在生产中的实际表现。这一举措显示了SK海力士在新技术引入上的谨慎态度和对质量的严格把控。

与传统的蚀刻工艺相比，东京电子的这款低温蚀刻设备在工作温度上形成了鲜明对比。传统蚀刻工艺通常在0℃到30℃的温度范围内进行，而这款新设备能在-70℃的低温下运行，这样的低温环境为生产更高性能的3D NAND提供了可能。

据东京电子提供的论文数据，这款新的蚀刻机能在短短33分钟内完成10微米深的高深度比蚀刻，效率比现有工具高出三倍以上。 这一显著的技术进步不仅提高了3D NAND的生产效率，还有望进一步推动闪存技术的发展。