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英特尔在《自然》杂志上发表的研究展示了单电子控制下高保真度和均匀性的量子比特。

英特尔在《自然》杂志发表题为《检测300毫米自旋量子比特晶圆上的单电子器件》的研究论文，展示了领先的自旋量子比特均匀性、保真度和测量数据。这项研究为硅基量子处理器的量产和持续扩展（构建容错量子计算机的必要条件）奠定了基础。

英特尔打造的300毫米自旋量子比特晶圆

英特尔的量子硬件研究人员开发了一种300毫米低温检测工艺，使用互补金属氧化物半导体（CMOS）制造技术，在整个晶圆上收集有关自旋量子比特器件性能的大量数据。